Samsung Galaxy S6: Su memoria interna será muy superior
Mejoras en la memoria interna que incluiría el Samsung Galaxy S6
Ese cambio se podrá apreciar en cada detalle, destacado o no. Tal sería el caso de la memoria interna, la memoria de almacenamiento. Si bien a este respecto se ha especulado que habría versiones de 32, 64 y 128 GB, ahora conocemos detalles técnicos sobre una nueva memoria que el fabricante de semiconductores empezará a producir en unas semanas. Dado que la filial ha indicado que estará específicamente diseñada para los nuevos smartphones y tabletas de la marca, damos por hecho que este cambio tecnológico llegará de la mano del Samsung Galaxy S6.
Más rendimiento, menos consumo energético
Según la información recabada, Samsung apostará por una nueva generación de memorias flash. En lugar de las actuales NAND Flash eMMC 5.0, la multinacional dará paso a la tecnología UFS 2.0. En términos de rendimiento estaríamos hablando de memorias capaces de alcanzar velocidades de hasta 1.440 Mbps, alrededor de 1.2 Gbps. El cambio es notorio si tenemos en consideración los 400 Mbps de las memorias actuales.
Además de la ganancia en prestaciones, menores tiempos para la transferencia de archivos y mayores tasas de lectura y escritura, este tipo de memorias UFS 2.0 favorecerían una mayor autonomía en el Samsung Galaxy S6. Y es que el consumo energético de estos chips se reduciría a la mitad. Estas optimizaciones no pasarán inadvertidas para el resto de firmas ya que según se ha podido saber Xiaomi también tiene planes para incluirlas en sus dispositivos. Del mismo modo, Toshiba y Micron también producirán memorias UFS.
Asimismo, Samsung tiene pensado introducir las memorias flash EFS de segunda generación en todas sus tarjetas de memoria externas, tanto SD como micro SD, con lo que se avecinan mayores tasas de transferencia en dichos complementos accesorios para, cómo no, smartphones y tabletas, entre otros dispositivos.
