Samsung Galaxy Note 6 contará con 6 GB de RAM y 256 GB de memoria
Los últimos rumores indicaban que el próximo gran lanzamiento de Samsung vendrá de la mano del Samsung Galaxy Note 6 y su gran particularidad sería la incorporación de 6 GB de memoria RAM. Sin embargo, el hecho es que existen aún muchas más posibilidades de que el futuro phablet cuente en su interior con la ingente cantidad de 256 GB de memoria interna. Estaríamos hablando de lo más sofisticado de la firma, un chip de memoria UFS de última generación con altas tasas de transferencia.
¿Memoria interna de 16 GB? Samsung parece haber comprendido definitivamente que una versión básica de sus modelos de alta gama con chips de memoria de tal capacidad no tienen sentido, especialmente si además no incluyen slot para tarjetas de memoria. Los últimos acontecimientos no hacen más que respaldar esta tendencia dado que la compañía acaba de anunciar que ha iniciado la producción en masa de un nuevo módulo de memoria interna con capacidad de 256 GB. Sí, habéis escuchado bien, 256 GB para móviles.
Memoria aún más rápida
En aproximadamente un año Samsung ha logrado duplicar la capacidad de su exclusiva memoria interna para smartphones y tablets. De hecho, en 2015 se iniciaba la producción de chips de 128 GB que vimos por primera vez en el Samsung Galaxy S6. Este tipo de memoria se estrenaba como novedad exclusiva puesto que el fabricante de semiconductores daba paso a la tecnología UFS 2.0. Este cambio implicaba mejorar notablemente la velocidad de lectura y escritura de las memorias MMC 5.0, las que disponen la práctica totalidad de smartphones del mercado. Hoy ese avance ya no es tan impresionante si lo comparamos con las nuevas memorias que han entrado en la cadena de producción de la surcoreana.
Y es que durante este año saldrán al mercado chips de memoria de 256 GB. Aun así, la duplicación de la capacidad de la memoria no será la única mejora técnica que el fabricante aplicará a este tipo de chip. Según ha detallado la compañía en nota de prensa, la tecnología UFS 2.0 de la que hace gala da un salto más y mejora la velocidad de lectura y escritura, principal parámetro para medir el rendimiento de este tipo de chips. De hecho, Samsung asegura que esta nueva generación de memorias es el doble de rápidas que incluso los actuales discos duros de memoria sólida SSD. Estaríamos hablando de lecturas y escrituras secuenciales de hasta 850 Mbps y 260 Mbps respectivamente.
¿Qué implican estos datos de cara al usuario? La firma asegura que con 256 GB de memoria interna se pueden dar cabida a 47 películas con calidad FullHD (5 GB por archivo). Pero eso no es todo. Las altas velocidades de escritura permitirán transferir una de éstas a la memoria del teléfono en solo 12 segundos. Del mismo modo, la nueva generación de memorias de Samsung está especialmente adaptada para ofrecer un rendimiento óptimo en la grabación y reproducción de vídeos a 4K, la última tendencia en el mercado de smartphones.
En el Samsung Galaxy Note 6
Como ya hemos indicado, la producción de los módulos de memoria de 256 GB ya ha comenzado y se espera que lleguen en masa a lo largo del año. Este dato es crucial para determinar que existen muchas posibilidades de que el Samsung Galaxy Note 6 sea el primer smartphone en estrenar este chip de memoria. Al fin y al cabo es la propia compañía la que los produce y que sea su próximo terminal de altas prestaciones el que lo estrene sería en doble de beneficioso para la compañía. De este modo, el Samsung Galaxy Note 6 parece rodearse de cifras estratosféricas puesto que, como ya avanzábamos, se dice que debutaría con otra gran novedad como es el de montar módulos de memoria RAM DDR4 de 6 GB. Y no es una idea tan descabellada al fin y al cabo si valoramos que ya existe confirmación del primer equipo con semejante cantidad de RAM, el Vivo Xplay 5.
